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2SA1955FVATPL3Z
2SA1955FVATPL3Z
- 廠家:Toshiba Semiconductor and Storage
- 封裝:CST3
- 批號:--
- 數量:8,000 - 立即發(fā)貨
- 價格:0.491
- 類型:晶體管(BJT) - 單路
- PDF:

2SA1955FVATPL3Z
- 包裝
帶卷 (TR) 可替代的包裝
- 系列
-
- 晶體管類型
PNP
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值)
400mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
12V
- 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
250mV @ 10mA,200mA
- 電流 - 集電極截止(最大值)
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值)
300 @ 10mA,2V
- 功率 - 最大值
100mW
- 頻率 - 躍遷
130MHz
- 安裝類型
表面貼裝
- 封裝/外殼
SC-101,SOT-883
- 產品簡介說明
TRANSISTOR PNP VESM
- 產品描述備注