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DMG4N65CTI

  • 廠家：Diodes Incorporated
  • 封裝：TO-220AB
  • 批號：--
  • 數(shù)量：35 - 立即發(fā)貨
  • 價格：6.370
  • 類型：FET - 單
  • PDF：DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    650V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    4A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    3 歐姆 @ 2A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    13.5nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    900pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    8.35W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-220-3

  • 產品簡介說明

    MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

  • 產品描述備注

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