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GT60N321(Q)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：TO-3P（LH）
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：41.621
  • 類型：IGBT - 單路
  • PDF：GT60N321(Q)

GT60N321(Q)

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    -

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    1000V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    60A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    120A

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)

    2.8V @ 15V，60A

  • 功率 - 最大值

    170W

  • Switching Energy

    -

  • 輸入類型

    標(biāo)準(zhǔn)

  • Gate Charge

    -

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值

    330ns/700ns

  • Test Condition

    -

  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)

    2.5μs

  • 封裝/外殼

    TO-3PL

  • 安裝類型

    通孔

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

  • 產(chǎn)品描述備注

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