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IPI029N06N

  • 廠(chǎng)家：Infineon Technologies
  • 封裝：PG-TO262-3
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：19 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：20.580
  • 類(lèi)型：FET - 單
  • PDF：IPI029N06N

IPI029N06N

  • 包裝

    管件

  • 系列

    OptiMOS??

  • FET 類(lèi)型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    24A （Ta）， 100A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    2.9 毫歐 @ 100A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.8V @ 75μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    56nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    4100pF @ 30V

  • 功率 - 最大值

    3W

  • 安裝類(lèi)型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I2Pak，TO-262AA

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

  • 產(chǎn)品描述備注

特價(jià)專(zhuān)區(qū)

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