IRF9Z24NSPBF
管件 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET P 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
55V
12A (Tc)
175 毫歐 @ 7.2A,10V
4V @ 250μA
19nC @ 10V
350pF @ 25V
3.8W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK