IRFR1018EPBF
管件 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
60V
56A (Tc)
8.4 毫歐 @ 47A,10V
4V @ 100μA
69nC @ 10V
2290pF @ 50V
110W
表面貼裝
TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK