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PH8230E,115

  • 廠家：NXP Semiconductors
  • 封裝：LFPAK56， Power-SO8
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：514 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：10.640
  • 類型：FET - 單
  • PDF：PH8230E,115

PH8230E,115

  • 包裝

    剪切帶 （CT）

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    67A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    8.2 毫歐 @ 10A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    14nC @ 5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    1400pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    62.5W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    SC-100，SOT-669，4-LFPAK

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK

  • 產(chǎn)品描述備注

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