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TPS1101DR

  • 廠家：Texas Instruments
  • 封裝：8-SOIC
  • 批號：--
  • 數量：7,500 - 廠方庫存
  • 價格：5.906
  • 類型：FET - 單
  • PDF：TPS1101DR

TPS1101DR

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    15V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    2.3A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    90 毫歐 @ 2.5A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    11.25nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    791mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產品簡介說明

    MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

  • 產品描述備注

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